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L6384E是一个高压栅极驱动器，使用BCD？“离线”技术，能够驱动功率MOSFET或IGBT器件的半桥。高压侧（浮动）部分能够与高达600 V的电压轨一起工作。两个设备输出可以分别为650 mA和400 mA，并且由于单输入配置，不能同时驱动高。通过用户通过连接到DT/SD引脚的外部电阻器可调节的死区时间功能，可进一步防止输出交叉传导。
L6384E设备具有一个输入引脚、一个使能引脚（DT/SD）和两个输出引脚，并确保低侧和高侧部分之间的匹配延迟，从而简化了设备的高频操作。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，以方便与控制设备的接口。自举二极管集成在器件内部，从而实现了更紧凑、更可靠的解决方案。
L6384E具有UVLO保护和V型电压钳科科斯群岛电源电压。电压钳通常约为15.6V，用于确保在V科科斯群岛电源电压上升太慢或受到电压下降的影响。
该设备有DIP-8管和SO-8管以及磁带和卷轴包装选项。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | L6385ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥6.17956 |
 | L6387ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥30.84523 |
 | L6388ED013TR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥2.51176 |
 | L6392D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥16.94839 |
 | L6390D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 16-SO 安装类别: 表面安装 | ¥17.60025 |
 | L6391D | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装 | ¥17.96239 |
 | L6387DTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V（最大值） 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥27.20433 |
 | L6370L | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 开关种类: 一般用途 输出类别: n通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 9.5V ~ 35V 供应商设备包装: 11多瓦 | ¥5.83778 |
 | L63B3S001-AZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 | |
| L63D1S001-AZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 |
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
