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L6387E

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 17V(最大值) 供应商设备包装: 8-DIP 安装类别: 通孔
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥461.98113
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥461.98
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规格参数

  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 驱动器配置 半桥
  • 输入类别 反相
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 8-DIP (0.300", 7.62毫米)
  • 部件状态 过时的
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 8-DIP
  • 电源电压 17V(最大值)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.5伏、3.6伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 400毫安, 650毫安
  • 上升/下降时长(典型值) 50ns, 30ns
  • 工作温度 -45摄氏度~125摄氏度(TJ)

L6387E 产品详情

描述
L6387E是一种简单紧凑的高压栅极驱动器,采用BCDTM“线性”技术制造,能够驱动功率MOSFET或IGBT器件的半桥。高压侧(浮动)部分可与高达600 V的电压轨一起工作。两个设备输出可分别独立地接收650 mA和400 mA的电流,由于集成的联锁功能,无法同时驱动高电压。
L6387E设备提供两个输入引脚和两个输出引脚,并确保输出与输入同相。逻辑输入与CMOS/TTL兼容,以方便与控制设备的接口。
L6387E在Vcc电源电压上具有UVLO保护,并集成了自举二极管,从而实现了更紧凑、更可靠的解决方案。
该设备有DIP-8管和SO-8管以及磁带和卷轴包装选项。

特征
·600V以下高压轨
·全温度范围内dV/dt抗扰度±50 V/nsec
·驱动器电流能力
-400 mA电源
-650毫安汇
·开关时间50/30纳秒,上升/下降,1 nF负载
·具有滞后和下拉的CMOS/TTL施密特触发器输入
·内部自举二极管
·输出与输入同相
·联锁功能
应用
·家用电器
·电机驱动器
-直流、交流、PMDC和PMAC电机
·照明应用
·工业应用和驱动
·感应加热
·暖通空调
·工厂自动化
·电源系统


特色

  • 400 mA电源
  • 650毫安汇
  • 开关时间50/30纳秒,上升/下降,1 nF负载
  • 具有滞后和下拉的CMOS/TTL施密特触发器输入
  • 内部自举二极管
  • 输出与输入同相
  • 联锁功能

  • L6387E所属分类:栅极驱动器,L6387E 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L6387E价格参考¥461.981134,你可以下载 L6387E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L6387E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

    意法半导体 (STMicroelectronics)

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