这是一种具有自适应死区控制的N沟道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器。该驱动器经过优化，可用于各种大电流单相和多相DC-DC转换器。这是一种提供高效率、小尺寸和低EMI发射的解决方案。
通过高达8.8V的栅极驱动电压、14ns自适应死区控制、14ns传播延迟和高电流2-A源极和4-A汇极驱动能力，实现了效率。0.4-？下栅极驱动器的阻抗将功率MOSFET的栅极保持在其阈值以下，并确保在高dV/dt相节点转变时没有击穿电流。由内部二极管充电的自举电容器允许在半桥配置中使用N沟道MOSFET。
特色
- 驱动两个具有14ns自适应死区时间的N沟道MOSFET
- 宽栅极驱动电压：4.5 V至8.8 V，在7 V至8 V时效率最佳
- 宽功率系统传动系输入电压：3 V至27 V
- 宽输入PWM信号：2.0V至13.2V振幅
- 能够驱动每相电流≥40-A的MOSFET
- 高频操作：14 ns传播延迟和10 ns上升/下降时间允许FSW–2 MHz
- 能够传播<30 ns的输入PWM脉冲
- 低侧驱动器漏通电阻（0.4Ω）可防止dV/dT相关的直通电流
- 功率级停机的3状态PWM输入
- 同一引脚上的空间节省启用（输入）和电源良好（输出）信号
- 热关机
- UVLO防护
- 内部自举二极管
- 经济型SOIC-8和热增强型3-mm x 3-mm DFN-8封装
- 高性能替代流行的三态输入驱动程序
这是一种具有自适应死区控制的N沟道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器。该驱动器经过优化，可用于各种大电流单相和多相DC-DC转换器。这是一种提供高效率、小尺寸和低EMI发射的解决方案。
通过高达8.8V的栅极驱动电压、14ns自适应死区控制、14ns传播延迟和高电流2-A源极和4-A汇极驱动能力，实现了效率。0.4-？下栅极驱动器的阻抗将功率MOSFET的栅极保持在其阈值以下，并确保在高dV/dt相节点转变时没有击穿电流。由内部二极管充电的自举电容器允许在半桥配置中使用N沟道MOSFET。
