特色
- 注入电流交叉耦合小于1mV/mA（见图9）
- 引脚兼容HC405X和MC1405XB设备
- 电源范围（VCC-GND）=2.0至6.0 V
- 符合JEDEC第7A号标准的要求
- 芯片复杂性：154个FET或36个等效栅极
- 提供无铅包装*
（图片：引出线）
NLV74HC4852ADR2G
- 描述:电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 4:1 最大值通态电阻: 400欧姆 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 557
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.29996 | 3.29996 |
| 200+ | 1.28215 | 256.43060 |
| 500+ | 1.24011 | 620.05750 |
| 1000+ | 1.20858 | 1208.58700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.29997
-
数量:
- +
- 总计: ¥690.74
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 开关线路 SP4T
- 多路复用器/解复用器电路 4:1
- 电线数量 two
- 3db 频段宽度 -
- 电源电压，单电源电压（±） 2V～6V
- 电源电压，双电源电压（±） -
- 安装类别 表面安装
- 充电注入 -
- 最大漏电电流 (IS(off)) 100nA
- 串化干扰 -
- 包装/外壳 16-SOIC（0.154“，3.90毫米宽）
- 通路至通路匹配 （&Delta；导通电阻） -
- 最大开关时间（Ton, Toff） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 供应商设备包装 16-SOIC
- 最大值通态电阻 400欧姆
- 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度（TA）
- 通道电容（CS（关闭），CD（关闭）） 40皮法
NLV74HC4852ADR2G 产品详情
汽车定制这些设备与标准HC405x和MC1405xB模拟多路复用器/分复用器设备引脚兼容，但具有注入电流效应控制功能。这使得它们特别适合在电压超过正常逻辑电压的汽车应用中使用。注入电流效应控制允许禁用模拟输入通道处的信号超过电源电压范围，而不影响启用模拟通道的信号。这消除了通常用于将模拟信道信号保持在电源电压范围内的外部二极管/电阻器网络的需要。该器件采用低功耗硅栅CMOS技术。通道选择和启用输入与标准CMOS输出兼容。
NLV74HC4852ADR2G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NLVHC1GT66MUR2G | 安盛美 (onsemi) | ANALOG SWITCH | ¥0.72429 |
 | NLV32T-1R0J-PF | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 1.H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 400毫安 直流电阻（DCR）: 700毫欧姆 Max 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.20642 |
 | NLV25T-027J-PF | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 27 nH 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 410毫安 直流电阻（DCR）: 最大400毫欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.34838 |
 | NLV32T-018J-EFD | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 18 nH 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 450毫安 直流电阻（DCR）: 最大180毫欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥2.31773 |
 | NLV25T-560J-EFD | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 56 H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 75 mA 直流电阻（DCR）: 12.1欧姆最大值 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.85466 |
 | NLV25T-180J-PF | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 18H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 130毫安 直流电阻（DCR）: 最大4.8欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥0.26002 |
 | NLV32T-6R8J-EFD | 东京电气化学 (TDK) | 电感值: 6.8 H 公差: ±5% 额定电流（单位：安培）: 180毫安 直流电阻（DCR）: 最大1.8欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 | ¥2.31773 |
 | NLVHC4851ADTR2G | 安盛美 (onsemi) | 电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 8:1 最大值通态电阻: 400欧姆 供应商设备包装: 16-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥6.30567 |
 | NLVHC1G66MUR2G | 安盛美 (onsemi) | 电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 1:1 最大值通态电阻: 40欧姆 供应商设备包装: 6-UDFN (1.2x1) 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥0.43457 |
 | NLV74VHCT541ADTRG | 安盛美 (onsemi) | 逻辑类型: 缓冲区，非反相 电源电压: 4.5伏~5.5伏 每个元件的位数: 8 供应商设备包装: 20-TSSOP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥2.55501 |
NLV74HC4852ADR2G所属分类：模拟开关/多路复用/解复用器，NLV74HC4852ADR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NLV74HC4852ADR2G价格参考￥3.299967，你可以下载 NLV74HC4852ADR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NLV74HC4852ADR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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