LT1160/LT1162CSW是具有成本效益的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动在高达60V的高压（HV）轨下工作的顶部N沟道功率MOSFET。
内部逻辑防止输入同时打开半桥中的功率MOSFET。其独特的穿透电流自适应保护消除了两个MOSFET的所有匹配要求。这大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。
在低电源或启动条件下，低电压锁定会主动将驱动器输出拉低，以防止功率MOSFET部分打开。即使在电源缓慢变化的情况下，0.5V滞后也能实现可靠的操作。
LT1162CSW是LT1160的双版本，可提供24针PDIP或24针SO Wide封装。
特色
- 浮顶驱动器开关高达60V
- 在负载高压电源上方驱动顶部N沟道MOSFET的栅极
- 180ns过渡时间驱动10000pF
- 自适应非重叠栅极驱动器防止穿透
- 高占空比时的顶驱保护
- TTL/CMOS输入电平
- 带滞后的欠压锁定
- 在10V至15V的电源电压下工作
- 分离顶部和底部驱动销
应用
- 大电流感应负载的PWM
- 半桥和全桥电机控制
- 同步降压开关稳压器
- 三相无刷电机驱动
- 大电流传感器驱动器
- D类功率放大器
（图片：引出线）
