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IR2133

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 3-Phase 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 28-PDIP 安装类别: 通孔
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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规格参数

  • 驱动器配置 半桥
  • 输入类别 反相
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 电源电压 10伏~20伏
  • 部件状态 过时的
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 通道类型 3-Phase
  • 驱动器数量 6
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2.2伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 250毫安, 500毫安
  • 上升/下降时长(典型值) 90ns, 40ns
  • 工作温度 125摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 28-DIP(0.600“,15.24毫米)
  • 供应商设备包装 28-PDIP

IR2133 产品详情

描述

IR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高压侧和低压侧参考输出通道,适用于三相应用。专有HVIC技术可实现坚固的整体结构。逻辑输入与CMOS或LSTL输出兼容,低至2.5V逻辑。独立的运算放大器通过外部电流感测电阻器提供桥电流的模拟反馈。终止所有六个输出的电流跳闸功能也可以从该电阻器导出。停机功能可用于终止所有六个输出。提供漏极开路故障信号,指示发生过电流或欠电压停机。故障条件通过FLT-CLR导线清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小化驱动器交叉传导。匹配传播延迟以简化高频应用中的使用。浮动沟道可用于驱动高达600伏或1200伏的高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT。

特征
•设计用于自举操作的浮动通道完全可在+600V或+1200V下运行,耐受负瞬态电压dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围从10V/12V到20V DC,瞬态电压高达25V
•所有通道的欠压锁定
•过电流关闭关闭所有六个驱动器
•独立的3个半桥驱动器
•所有信道的匹配传播延迟
•2.5V逻辑兼容
•输出与输入异相
•所有零件均为无铅零件

特色

  • 为引导操作设计的浮动通道
  • 完全运行至+600 V
  • dV/dt免疫
  • 栅极驱动电源范围为10 V/12 V至20 V DC,瞬态电压高达25 V
  • 所有通道的欠压锁定
  • 过电流关机关闭所有六个驱动器
  • 独立的3个半桥驱动器
  • 所有信道的匹配传播延迟
  • 2.5 V逻辑兼容
  • 输出与输入异相

应用

  • 电机控制和驱动
  • 机器人
  • 家庭和楼宇自动化
  • 电动工具
  • 3D打印机


(图片:引线/示意图)

IR2133所属分类:栅极驱动器,IR2133 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IR2133价格参考¥16.673156,你可以下载 IR2133中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IR2133规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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