IR2108是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT。
特色
特征
•设计用于自举操作的浮动通道完全可操作至+60V耐受负瞬态电压dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为10至20V
•两个通道的欠压锁定
•3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
•交叉传导预防逻辑
•两个信道的匹配传播延迟
•高压侧输出与HIN输入同相
•低端输出与LIN输入异相
•逻辑和电源接地+/-5V偏移。
•内部540ns死区时间，可编程高达5us，带有一个外部RDT电阻器（IR21084）
•较低的di/dt栅极驱动器，可提高抗噪声能力
•无铅可用
描述
IR2108（4）（S）是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT。
应用
- 洗衣机
- 伺服电机
- 机器人
- 家庭和楼宇自动化
- 工业加热和焊接
- 电动工具
- 电源
（图片：引出线）
