描述
IR2112（S）是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。匹配传播延迟以简化高频应用中的使用。浮动沟道可用于驱动高达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT。
特征
•为引导操作设计的浮动通道
•完全运行至+60V
•耐受负瞬态电压dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为10至20V
•两个通道的欠压锁定
•3.3V逻辑兼容从3.3V到20V的独立逻辑电源范围逻辑和电源接地±5V偏置
•CMOS施密特触发输入，带下拉
•逐周期边缘触发停机逻辑
•两个信道的匹配传播延迟
•输出与输入同相
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压
- dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围为10至20 V
- 两个通道的欠压锁定
- 3.3 V逻辑兼容
- 3.3 V至20 V的独立逻辑电源范围
- 逻辑和电源接地+/-5 V偏移
- 带下拉的CMOS施密特触发输入
- 逐周期边缘触发停机逻辑
- 两个信道的匹配传播延迟
- 输出与输入同相
应用
- 消费者
- 电机控制和驱动
- 机器人
- 家庭和楼宇自动化
- 工业加热和焊接
- 电动工具
- 电源
- 不间断电源（UPS）
（图片：引出线）
