IR2113是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。匹配传播延迟以简化高频应用中的使用。浮动沟道可用于驱动高达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT。
特色
描述
-两个通道的欠压锁定n独立的逻辑电源范围从5到20V逻辑和电源接地±5V偏移
-带下拉的CMOS施密特触发输入
-逐周期边缘触发关闭逻辑n两个通道的匹配传播延迟
-输出与输入同相
IR2113是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。匹配传播延迟以简化高频应用中的使用。浮动沟道可用于驱动高达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT。
特征
-设计用于自举操作的浮动通道完全可操作至+60V耐受负瞬态电压dV/dt免疫
-栅极驱动电源范围从10到20V
-两个通道的欠压锁定n独立的逻辑电源范围从5到20V逻辑和电源接地±5V偏移
-带下拉的CMOS施密特触发输入
-逐周期边缘触发关闭逻辑n两个通道的匹配传播延迟
-输出与输入同相
应用
- 电机控制和驱动
- 机器人
- 家庭和楼宇自动化
- 工业加热和焊接
- 太阳能系统解决方案
- 电源
- 不间断电源（UPS）
（图片：引出线）
