描述
IR2125（S）是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，带有过流限制保护电路。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至2.5V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。保护电路检测驱动功率晶体管中的过电流并限制栅极驱动电压。通过外部电容器对逐周期停机进行编程，该电容器直接控制检测过电流限制条件和锁存停机之间的时间间隔。浮动沟道可用于驱动高或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达500伏。
特征
•为自举操作而设计的浮动通道完全可操作至+50V耐受负瞬态电压dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为12至18V
•欠压锁定
•电流检测和限制回路，以限制驱动功率晶体管电流
•错误引线指示故障条件和程序关闭时间
•输出与输入同相
•2.5V、5V和15V输入逻辑兼容
•也可提供无铅
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+500 V
- 耐受负瞬态电压
- dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围为12至18 V
- 欠压锁定
- 电流检测和限制回路，以限制驱动功率晶体管电流
- 错误引线指示故障条件和程序关闭时间
- 输出与输入同相
- 2.5 V、5 V和15 V输入逻辑兼容
应用
- 电机控制和驱动
- 机器人
- 快速电动汽车充电
