IR2153是一种高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器,具有高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。前端具有一个类似于555定时器的可编程振荡器。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级和设计用于最小化驱动器交叉传导的内部死区时间。匹配两个信道的传播延迟,以简化在50%占空比应用中的使用。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其在高达600伏的高压轨下工作。
特色
- 集成600 V半桥门驱动器
- Vcc上15.6 V齐纳钳位
- 真正的微功率启动
- 更严格的初始空载时间控制
- 低温系数死区时间
- CT引脚上的关闭功能(1/6 Vcc)
- 增加的欠压锁定滞后(1 V)
- 低功率电平转换电路
- 启动时恒定LO、HO脉冲宽度
- 较低的di/dt栅极驱动器可提高抗噪声能力
- 低侧输出与RT同相
- 所有输入和输出均具有出色的锁存抗扰性
- 所有导线上的ESd保护
应用
- 电机控制和驱动
- 机器人
- 家庭和楼宇自动化
- 电动工具