描述
IR2101（S）/IR2102（S）是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT。
特征
•设计用于自举操作的浮动通道完全可操作至+60V耐受负瞬态电压dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为10至20V
•欠压锁定
•3.3V、5V和15V逻辑输入兼容
•两个信道的匹配传播延迟
•输出与输入同相（IR2101）或与输入异相（IR2102）
•也可提供无引线
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压
- dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围为10至20 V
- 欠压锁定
- 3.3 V、5 V和15 V逻辑输入兼容
- 两个信道的匹配传播延迟
- 输出与输入同相（IR2101）或与输入异相（IR2102）
应用
- 房间空调器
- 电动工具
- 发动机罩风扇
- 电机控制和驱动
- 混合动力和电动汽车
- 电池供电应用的电机控制
- 太阳能系统解决方案
（图片：引出线）
