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ZL1505ALNNT1

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 4.5伏~7.5伏 供应商设备包装: 10-DFN(3x3) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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  • 单价: ¥14.58720
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.59
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规格参数

  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 高侧最大电压 (自举) 30伏
  • 部件状态 过时的
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 10-VFDFN外露衬垫
  • 供应商设备包装 10-DFN(3x3)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 3.2A, 3.2A
  • 电源电压 4.5伏~7.5伏
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.7伏、3.4伏
  • 上升/下降时长(典型值) 5.3ns, 4.8ns

ZL1505ALNNT1 产品详情

ZL1505ALNNT1是用于同步降压DC/DC转换应用的集成高速、大电流N沟道MOSFET驱动器。与Zilker Labs Digital-DC一起使用时™ PWM控制器ZL1505ALNNT1实现动态自适应死区时间控制,在所有操作条件下优化效率。双输入PWM配置实现了这种效率优化,同时最小化了驱动器内的复杂性。ZL1505ALNNT1的输入电压为4.5V至7.5V,结合了5A、0.5W低侧驱动器和3A、0.8W高侧驱动器,以支持高降压降压应用。独特的可调栅极驱动电流方案允许用户调整两个驱动器上的驱动电流,以优化输入/输出电压、负载电流、功率MOSFET和高达1.4MHz的开关频率范围内的性能。集成的30V自举肖特基二极管用于为外部自举电容器充电。内部看门狗电路防止过大的直通电流,并保护外部MOSFET开关。ZL1505ALNNT1适用于-40°C至+125°C的宽结温度范围,可用于暴露焊盘DFN-10封装。

特色

  • 用于同步N沟道MOSFET的高速大电流驱动器
  • 当与数字直流控制器一起使用时,自适应死区控制可优化效率
  • 集成30V自举肖特基二极管
  • 每相可驱动40A
  • 支持高达1.4MHz的切换频率
  • >4A源,>5A宿低端驱动器
  • >3A源/宿高端驱动器
  • <10ns上升/下降时间,低传播延迟
  • 可调栅极驱动强度可优化不同VIN、VOUT、IOUT、FSW和MOSFET组合的效率
  • 内部非重叠看门狗防止直通电流


ZL1505ALNNT1所属分类:栅极驱动器,ZL1505ALNNT1 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZL1505ALNNT1价格参考¥14.587201,你可以下载 ZL1505ALNNT1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZL1505ALNNT1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash;安全可靠。作为微控制器...

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