特色
- 驱动N沟道MOSFET半桥
- 节省空间的DFN封装
- DFN封装符合IPC-2221规定的100V导线间距指南
- 无铅(符合RoHS)
- 引导电源最大电压为114VDC
- 芯片1Ω 自举二极管
- 多MHz电路的快速传播时间
- 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为10ns
- CMOS兼容输入阈值(ISL2100A)
- 3.3V/TTL兼容输入阈值(ISL2101A)
- 独立输入提供灵活性
- 无启动问题
- 输出不受电源故障、HS低于地面或HS在高dv/dt下旋转的影响
- 低功耗
- 宽电源电压范围(9V至14V)
- 电源欠压保护
- 2.5Ω 典型输出上拉/下拉电阻