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ISL6611AIRZ

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 16-QFN(4x4) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥15.91989
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.92
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规格参数

  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、2伏
  • 部件状态 过时的
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 上升/下降时长(典型值) 8ns, 8ns
  • 高侧最大电压 (自举) 36伏
  • 驱动器数量 four
  • 包装/外壳 16-VQFN外露焊盘
  • 供应商设备包装 16-QFN(4x4)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) -,4A

ISL6611AIRZ 产品详情

ISL6611AIRZ利用Intersil专有的相位倍增器方案,通过单个PWM输入调制两相动力传动系。它使Intersil的ISL63xx多相控制器可以支持的相数加倍。同时,当使能引脚(EN_PH)被拉低时,PWM线可以被拉高以禁用相应的相位或更高的相位。这简化了相位分离的实现。为了简化布局并提高系统性能,该设备集成了两个5V驱动器(ISL6609)和电流平衡功能。ISL6611AIRZ设计用于在高相位计数和可扩展应用中最小化控制器和驱动器之间的模拟信号接口数量。不需要通常在常规级联配置中看到的公共COMP信号;这提高了抗噪声性并简化了布局。此外,与传统级联技术相比,ISL6611AIRZ提供了低部件数量和低成本优势。该IC由单个低电压电源(5V)偏置,在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中最小化驱动器开关损耗。上栅极驱动器的自举通过内部低正向压降二极管实现,降低了实现成本和复杂性,并允许使用更高性能、成本有效的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护,以防止两个MOSFET同时导通。ISL6611AIRZ为下栅极驱动器提供4A典型的吸收电流,增强了PHASE节点上升沿期间的下MOSFET栅极抑制能力,防止由于开关节点的高dV/dt而导致的较低MOSFET的自导通引起的功率损失。ISL6611AIRZ还具有识别高阻抗状态的输入,与Intersil多相PWM控制器一起工作,以防止操作暂停时受控输出电压上的负瞬变。此功能消除了对肖特基二极管的需求,肖特基二极管可用于电力系统中,以保护负载免受负输出电压损坏。此外,ISL6611A的自举功能旨在防止BOOT电容器过度充电,如果PHASE节点的过渡出现过大的负摆幅。

特色

  • 具有相位衰减功能的专有相位倍增器方案(专利申请中)
  • 增强的轻载到满载效率
  • 具有rDS(ON)电流传感和可调增益的专利电流平衡
  • 单PWM输入双同步整流桥的四MOSFET驱动器
  • 信道同步和交织选项
  • 自适应零触发保护
  • 0.4Ω导通电阻和4A吸收电流能力
  • 36V内部自举肖特基二极管
  • 自举电容器过充电保护(ISL6611A)
  • 支持高开关频率(高达1MHz)
  • 快速输出上升和下降
  • 输出级停机的三态PWM输入
  • 相位使能输入和PWM强制高输出与Intersil的控制器接口,用于减相
  • QFN包
  • 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN四平无引线产品概述
  • 近芯片级封装封装;提高PCB利用率,更薄的外形
  • 无铅(符合RoHS)


ISL6611AIRZ所属分类:栅极驱动器,ISL6611AIRZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ISL6611AIRZ价格参考¥15.919894,你可以下载 ISL6611AIRZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ISL6611AIRZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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