ISL6615ACRZ是一款高速MOSFET驱动器,经过优化,可在同步整流降压变换器拓扑中驱动高功率和低功率N沟道MOSFET。该驱动器与Intersil数字或模拟多相PWM控制器相结合,ISL6615ACRZ在4.5V至13.2V的范围内驱动上下栅极。该驱动电压为优化涉及栅极电荷和传导损耗之间的权衡的应用提供了必要的灵活性,在PHASE节点上升沿期间增强下部MOSFET栅极抑制能力,防止由于开关节点的高dV/dt而导致的下部MOSFET自导通造成的功率损失。集成了先进的自适应零击穿保护,以防止上部和下部MOSFET同时导通,并将死区时间降至最低。ISL6615ACRZ包括在VCC超过其导通阈值之前操作的过电压保护功能,在该阈值下,PHASE节点连接到低侧MOSFET(LGATE)的栅极。然后,转换器的输出电压受到低侧MOSFET阈值的限制,如果上MOSFET短路,这会对负载提供一些保护。ISL6615ACRZ还具有识别高阻抗状态的输入,与Intersil多相PWM控制器一起工作,以防止操作暂停时受控输出电压上的负瞬态。该特征消除了对肖特基二极管的需要,该肖特基二极管可用于电力系统以保护负载免受负输出电压损坏。
特色
- 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
- 先进的自适应过零保护
- 身体二极管检测
- LGATE检测
- rDS(ON)传导偏移效应的自动归零
- 可调栅极电压,实现最佳效率
- 36V内部自举肖特基二极管
- 防止自举电容器过充电
- 支持高开关频率(高达1MHz)
- 6A LGATE下沉电流能力
- 快速上升/下降时间和低传播延迟
- 支持3.3V PWM输入逻辑
- 用于安全输出级关闭的三态PWM输入
- 具有功率排序要求的应用的三态PWM输入滞后
- 预POR过电压保护
- VCC欠电压保护
- 可膨胀底部铜衬垫,更好地散热
- 双平面无引线(DFN)封装
- 近芯片级封装封装;提高PCB效率,外形更薄
- 无铅(符合RoHS)