Microchip AT28C256-15DM/883-815是一种高性能256Kbit并行EEPROM，可在工业和军事温度范围内使用，访问时间可达150ns，功耗为440mW。取消选择，CMOS待机电流小于200μA。像静态RAM一样，在没有外部组件的情况下进行读取或写入周期访问，它包含一个64字节的页寄存器，允许同时写入多达64字节。在军用版本中，具有内部纠错电路，可延长耐久性并提高数据保留率。可选的软件数据保护机制可防止意外写入；并且额外的64字节EEPROM能够实现设备识别或跟踪。
AT28C256-15DM/883-815也可提供双标记（如适用），带有相应的标准军用图纸编号-596-8525xxxx。有关MIL产品的准确可用性，请参阅数据表。
特色
- 32 Kbits x 8（256 Kbit）
- 5V±10%电源
- 并行接口
- AT28C256E-高耐久性100K写入周期选项
- AT28C256F-3毫秒快速写入选项
- 150ns访问时间
- 自定时擦除和写入周期（最长10毫秒）
- 页面写入和字节写入
- 写入结束检测的数据轮询
- 提供绿色（无铅/卤化物）包装
- 低功耗
- 读/写电流40 mA（最大值）
- 32引线，塑料J引线芯片载体（PLCC）
- 待机电流TTL 2 mA（最大），CMOS 200μA（最大）
- 写入保护
- 硬件保护
- 软件数据保护
- 数据保留期>10年
- 温度范围
- 标准温度范围：-40°C至85°C
- 军用温度范围：-55°C至125°C
- 28引线，0.600“宽，塑料双列直插式封装（PDIP）
- 28引线，0.300“宽，塑料鸥翼小轮廓（SOIC）
- 28引线，塑料薄小外形封装（TSOP）
- 可提供SMD双标记（5962-8852xxxx）陶瓷密封包装
- 28铅，0.600“宽，无窗口，陶瓷双列直插式（Cerdip）
- 28铅，无窗口，陶瓷底部钎焊扁平封装（扁平封装）
- 32垫，无窗，陶瓷，无引线芯片载体（LCC）
