LM25101AMR/NOPB高压栅极驱动器设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。A版本提供完整的3-A栅极驱动，而B和C版本分别提供2-A和1-A。输出由TTL输入阈值独立控制。提供集成的高压二极管来对高压侧栅极驱动自举电容器充电。一个健壮的电平转换器以高速运行，同时消耗低功率，并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。
这些器件有标准8引脚SOIC、8引脚SO PowerPAD、8引脚WSON、10引脚WSON和8引脚MSOP PowerPAD封装。
特色
- 独立的高电平和低电平驱动器逻辑输入
- 引导电源电压高达100-V DC
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 快速传播时间（典型25 ns）
- 驱动1000 pF负载，上升和下降时间为8 ns
- 出色的传播延迟匹配（典型的3 ns）
- 供电轨欠压锁定
- 低功耗
- 引脚与HIP2100和HIP2101兼容
LM25101高压栅极驱动器设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。A版本提供完整的3-A栅极驱动，而B和C版本分别提供2-A和1-A。输出由TTL输入阈值独立控制。提供集成的高压二极管来对高压侧栅极驱动自举电容器充电。一个健壮的电平转换器以高速运行，同时消耗低功率，并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。
这些器件有标准8引脚SOIC、8引脚SO PowerPAD、8引脚WSON、10引脚WSON和8引脚MSOP PowerPAD封装。
