TS5N412DBQR是一种高带宽FET总线开关,利用电荷泵提高传输晶体管的栅极电压,提供低而平坦的导通状态电阻(ron)。低而平坦的ON状态电阻允许最小的传播延迟,并支持数据输入/输出(I/O)端口上的轨到轨切换。该设备还具有低数据I/O电容,以最小化数据总线上的电容负载和信号失真。TS5N412DBQR专为支持高带宽应用而设计,它提供了一个优化的接口解决方案,非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。
TS5N412DBQR是一个4位二选一复用器/解复用器,具有单输出使能(OE)输入。选择(S)输入控制多路复用器/解复用器的数据路径。当OE低时,启用多路复用器/解复用器,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当OE为高时,复用器/解复用器被禁用,a和B端口之间存在高阻抗状态。
此设备完全指定用于使用Ioff的部分断电应用。当设备断电时,Ioff电路可防止损坏的电流回流通过设备。设备在断电时具有隔离功能。
为确保通电或断电期间的高阻抗状态,OE应通过上拉电阻器连接到VCC;电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
特色
- 工作范围内的低和平坦导通状态电阻(ron)特性(ron=3Typ)
- 数据I/O端口上的0至10-V切换
- 具有近零传播延迟的双向数据流
- 低输入/输出电容使负载和信号失真最小化(Cio(OFF)=最大20pF,B端口)
- VCC工作范围从4.75 V到5.25 V
- 闩锁性能超过100 mA,符合JESD 78,II级
- 根据JESD 22测试ESD性能
- 2000-V人体模型(A114-B,II类)
- 1000V带电装置型号(C101)
- 支持数字和模拟应用
- 应用
- PCI接口
- 差分信号接口
- 内存交错
- 总线隔离
- 低失真信号选通