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DG213DY-T1-E3是IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC，包括卷筒包装，设计用于0.019312盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供4 x SPST等配置功能，Pd功耗设计用于640 mW，其最大工作温度范围为+85℃，它的最小工作温度范围为-40℃。此外，工作电源电压为3 V至40 V，该设备的最大供电电流为1 uA，该设备具有部件号别名的DG213DY-E3，电源电压最大值为40 V，电源电压最小值为3 V，封装外壳为SOIC-16窄型，最大双电源电压为+/-22 V，最小双电源电压为+/-3 V，电源类型为单电源双电源，导通电阻最大值为60欧姆，关断时间最大值为100 ns，开关数量为4个开关，导通时间最大值是130 ns，开关电压最大值为+/-15 V，双电源电压从+/-3 V到+/-22 V，开关持续电流为30 mA。
DG213DY是IC SWITCH QUAD CMOS 16SOIC，包括0.019312盎司单位重量，它们设计为在+/-15 V开关电压最大值下工作，开关持续电流如数据表注释所示，用于30 mA，提供最小电源电压功能，如3 V，最大电源电压设计为40 V，以及单电源双电源类型，该器件还可以用作1 uA电源电流最大值。此外，Pd功耗为640 mW，该器件采用管封装，该器件具有SOIC-16窄封装外壳，工作电源电压为3 V至40 V，接通时间最大值为130 ns，接通电阻最大值为60欧姆，关断时间最大值100 ns，开关数量为4个开关，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40 C，最小双电源电压为+/-3 V，最大工作温度范围+85 C，最大双电源电压+/-22 V，双电源电压+/-3 V至+/-22 V，配置为4 x SPST。
DG213DY-E3是IC开关四元CMOS 16SOIC，包括4 x SPST配置，它们设计为在+/-3 V至+/-22 V双电源电压下工作，数据表备注中显示了用于+/-22 V的最大双电源电压，其最大工作温度范围为+85 C，最小双电源电压设计为+/-3 V，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，开关的数量为4个开关，器件的最大关断时间为100ns，器件的导通电阻最大值为60欧姆，最大开断时间为130ns，工作电源电压为3V至40V，封装外壳为SOIC-16窄，封装为管，Pd功耗为640mW，电源电流最大值为1uA，电源类型为单电源双电源，电源电压最大值为40 V，电源电压最小值为3 V，开关持续电流为30 mA，开关电压最大值+/-15 V，单位重量为0.019312盎司。
