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ISL6208IBZ-T
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ISL6208IBZ-T

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 7.86216 19655.42000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.86217
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19,655.42
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 2A，2A
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度（TJ）
  • 上升/下降时长（典型值） 8ns, 8ns
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 高侧最大电压 (自举) 33伏
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.5伏、2伏

ISL6208IBZ-T 产品详情

ISL6208IBZ-T和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，经过优化，可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。它们特别适合需要高效率和优异热性能的移动计算应用。这些驱动器与Intersil多相降压PWM控制器相结合，形成了先进移动微处理器的完整单级核心电压调节器解决方案。ISL6208IBZ-T和ISL6208B具有相同的功能，但封装不同。本数据表中的描述基于ISL6208IBZ-T，也适用于ISL6208B。ISL6208IBZ-T具有4A典型的下栅极驱动器下沉电流。该电流能够在相位节点的上升沿期间保持较低MOSFET栅极关断。这防止了由相电压的高dv/dt引起的穿透功率损失。工作电压与移动计算机电源中常用的MOSFET的30V击穿电压相匹配。ISL6208IBZ-T还具有一个三态PWM输入，与Intersil的多相PWM控制器一起工作，将防止CPU停机期间的负电压输出。这一特性消除了微处理器电源系统中常见的肖特基保护二极管。使用ISL6208可以将MOSFET栅极有效地切换到2MHz。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为8ns，转换时间低于10ns。用内部肖特基二极管实现自举。这降低了系统成本和复杂性，同时允许使用更高性能的MOSFET。集成了自适应直通保护，以防止两个MOSFET同时导通。ISL6208IBZ-T中集成了二极管仿真功能，以提高轻负载条件下的转换器效率。该功能还允许单调启动到预偏置输出。当启用二极管仿真时，驱动器将通过检测电感器电流何时达到零并随后关闭低侧MOSFET栅极来允许不连续导通模式。

特色

  • 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
  • 自适应穿透保护
  • 0.5Ω 导通电阻和4A吸收电流能力
  • 支持高达2MHz的高开关频率
  • 快速输出上升和下降时间
  • 低传播延迟
  • 功率级停机的三态PWM输入
  • 内部自举肖特基二极管
  • 低偏置电源电流（5V，80µA）
  • 二极管仿真可提高轻负载效率和预偏置启动应用
  • 集成VCC POR（通电复位）功能
  • 低三态停机延迟时间（典型160ns）
  • 引脚到引脚兼容ISL6207
  • QFN和DFN包：
  • 符合JEDEC PUB95 MO-220QFN-四平面无引线-封装外形DFN-双平面无引线–封装外形
  • 接近芯片规模的封装占地面积，可提高PCB效率并具有更薄的外形
  • 无铅（符合RoHS）


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器件图
型号
制造商
描述
价格
ISL29120IROZ-T7ISL29120IROZ-T7瑞萨电子 (Renesas)输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度¥122.53535
ISL29124IROZ-T7ISL29124IROZ-T7瑞萨电子 (Renesas)输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-VFDFN 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度¥20.39467
ISL29125IROZ-T7AISL29125IROZ-T7A瑞萨电子 (Renesas)输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度¥458.58865
ISL29125IROZ-T7ISL29125IROZ-T7瑞萨电子 (Renesas)输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度¥44.0087
ISL29035IROZ-T7ISL29035IROZ-T7瑞萨电子 (Renesas)种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WFDFN¥8.7965
ISL29101IROZ-T7ISL29101IROZ-T7瑞萨电子 (Renesas)种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad¥21.00441
ISL76671AROZ-T7ISL76671AROZ-T7瑞萨电子 (Renesas)种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8V~3V 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad¥9.51105
ISL29033IROZ-T7ISL29033IROZ-T7瑞萨电子 (Renesas)种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad¥20.54597
ISL29020IROZ-T7ISL29020IROZ-T7瑞萨电子 (Renesas)种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 540nm 电源电压: 2.25伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad¥28.10245
ISL29030AIROZ-T7ISL29030AIROZ-T7瑞萨电子 (Renesas)种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 8-VFDFN Exposed Pad¥36.76205
ISL6208IBZ-T所属分类：栅极驱动器，ISL6208IBZ-T 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ISL6208IBZ-T价格参考￥7.862168，你可以下载 ISL6208IBZ-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ISL6208IBZ-T规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...

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