IX21844NTR

IXYS Corporation（NASDAQ:IXYS）的全资子公司IXYS Integrated Circuits Division（ICD），Inc.宣布立即推出IX21844半桥门驱动器IC。IX21844是一种高压集成电路，可以驱动高达600V的分立功率MOSFET和IGBT。高侧和低侧输出都具有集成功率DMOS晶体管，每个晶体管都能够提供1.4A的栅极驱动电流，并吸收1.8A的栅极电流。IX21844的700V绝对最大额定值为高压应用提供了额外的裕度。IX21844采用IXYS ICD先进的HVIC绝缘体上硅（SOI）工艺制造，使IX21844非常坚固，几乎不受负瞬态和高dV/dt噪声的影响。输入为3.3V和5V逻辑兼容。用于高侧和低侧输出的内部欠压锁定电路不允许IX21844打开分立功率晶体管，直到有足够的栅极电压。可编程停滞时间可设置为400ns至5�以确保高压侧和低压侧功率MOSFET或IGBT不会同时启用。输出传播延迟匹配用于高频应用。IX21844可以驱动半桥、全桥和三相配置的功率分立MOSFET和IGBT。典型应用包括电机驱动器、高压逆变器、不间断电源（UPS）和DC/DC转换器。IX21844补充了IXYS ICD广泛的低端栅极驱动器和光隔离栅极驱动器组合，以及全系列IXYS功率半导体。