LM5110-3SD/NOPB双栅极驱动器取代了行业标准的栅极驱动器，提高了峰值输出电流和效率。每个“复合”输出驱动器级包括并联运行的MOS和双极晶体管，它们一起从电容负载吸收超过5A的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。独立的输入和输出接地引脚提供负驱动能力，允许用户使用正和负VGS电压驱动MOSFET栅极。栅极驱动器控制输入参考专用输入地（IN_REF）。栅极驱动器输出从VCC到输出地VEE的摆动，该摆动可以相对于IN_REF为负。还提供了欠压锁定保护和停机输入引脚。驱动器可以与输入和输出并联操作，以使驱动电流能力加倍。该器件可用于SOIC-8和热增强WSON-10封装。
特色
- 独立驱动两个N沟道MOSFET
- 复合CMOS和双极输出减少输出电流变化
- 5A汇/3A源电流能力
- 两个通道可以并联连接，使驱动电流加倍
- 独立输入（TTL兼容）
- 快速传播时间（典型25 ns）
- 快速上升和下降时间（14ns/12ns上升/下降，2-nF负载）
- 专用输入接地引脚（IN_REF），用于分接电源或单电源操作
- 从VCC到VEE的输出摆动，相对于输入接地可能为负
- 提供双非反相、双反相和组合配置
- 关机输入提供低功率模式
- 供电轨欠压锁定保护
- 引脚输出与行业标准栅极驱动器兼容
- 包装：
- 土壤-8
- WSON-10（4毫米×4毫米）
LM5110双栅极驱动器取代了行业标准的栅极驱动器，提高了峰值输出电流和效率。每个“复合”输出驱动器级包括并联运行的MOS和双极晶体管，它们一起从电容负载吸收超过5A的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。独立的输入和输出接地引脚提供负驱动能力，允许用户使用正和负VGS电压驱动MOSFET栅极。栅极驱动器控制输入参考专用输入地（IN_REF）。栅极驱动器输出从VCC到输出地VEE的摆动，该摆动可以相对于IN_REF为负。还提供了欠压锁定保护和停机输入引脚。驱动器可以与输入和输出并联操作，以使驱动电流能力加倍。该器件可用于SOIC-8和热增强WSON-10封装。
