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HIP2123FRTBZ-T是集成电路半桥FET驱动器9TDFN，包括半桥型，设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表说明中显示了用于表面安装的封装盒，其工作温度范围为10ns、10ns，安装型设计用于-55°C~150°C（TJ），以及9-WDFN暴露焊盘供应商设备封装，该设备也可以用作2个分辨率位。此外，数据接口是独立的，该设备提供反向电压供应模拟，该设备具有114V的电压供应数字，ADC DAC的数量为，Sigma Delta为8 V~14 V，S N比ADC DAC db Typ为1.4V、2.2V，动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A。
HIP2123FRTBZ是集成电路半桥FET驱动器9TDFN，包括114V数字电源，它们设计用于模拟逆变电源，类型如半桥中使用的数据表注释所示，该半桥提供供应商设备包功能，如9-WDFN暴露焊盘、S N比率ADC DAC db Typ，设计用于1.4V、2.2V以及8 V~14 V Sigma Delta，该设备也可以用作2个分辨率位。此外，包装为管式，设备采用表面贴装包装盒，其工作温度范围为10ns、10ns，ADC DAC数量为，安装类型为-55°C~150°C（TJ），动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A，数据接口独立。
HIP232ECBNZ，带有INTERSIL制造的电路图。HIP232ECBNZ采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
