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ILD755-2X007T是OPTOISO 5.3KV 2CH DARL 8SMD，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于8-SMD鸥翼封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于交流、直流，其工作温度范围为-55°C~100°C，安装类型设计用于表面安装，以及达林顿输出类型，该设备也可以用作2个信道数。此外，供应商设备包为8-SMD，该设备提供60V电压输出最大值，该设备具有60mA电流DC正向If Max，电压隔离为5300Vrms，电压正向Vf Typ为1.2V，电流传输比Min为1000%@1mA，升降时间Typ为70μs、70μs，Vce饱和最大值为1V。
ILD766-1是OPTOISO 5.3KV 2CH DARLNG 8-DIP，包括60V电压输出最大值，设计用于5300Vrms电压隔离，数据表注释中显示了1.2V电压正向Vf Typ，提供Vce饱和最大值功能，如1V，供应商设备包设计用于8-DIP以及100μs、100μs上升下降时间Typ，该装置也可以用作管包装。此外，包装箱为8-DIP（0.300“，7.62mm），该设备为达林顿输出型，其工作温度范围为-55°C~100°C，通道数为2，安装类型为通孔，输入类型为交流、直流，电流传输比最小值为500%@2mA，电流直流正向（如果最大值为60mA）。
ILD766-2是OPTOISO 5.3KV 2CH DARLNG 8-DIP，包括60mA直流正向电流。如果最大值，则设计为以500%@2mA电流传输比最小值运行。数据表注释中显示了用于交流、直流的输入类型，提供安装类型功能，如通孔，通道数量设计为2个，其工作温度范围为-55°C~100°C，该设备也可以用作达林顿输出类型。此外，封装外壳为8-DIP（0.300“，7.62mm），器件采用管式封装，器件具有100μs，100μs的升降时间类型，供应商器件封装为8-DIP，Vce饱和最大值为1V，电压正向Vf典型值为1.2V，电压隔离为5300Vrms，电压输出最大值为60V。
ILD755-936，带有VIS制造的EDA/CAD模型。ILD755-936采用DIP-8封装，是IC芯片的一部分。
