UCC27611DRVR是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，特别针对增强型GaN FET。驱动电压VREF由内部线性调节器精确控制为5V。UCC27611DRVR提供不对称的轨对轨峰值电流驱动能力，具有4-A源和6-A宿。分体式输出配置允许根据FET优化单独的关断和关断时间。具有最小寄生电阻的封装和引脚减少了上升和下降时间，并限制了振铃。此外，具有最小公差和变化的短传播延迟允许在高频下高效操作。1Ω和0.35Ω电阻提高了对高转换速率dVand dt硬开关的免疫力。
与VDD输入信号阈值的独立性确保TTL和CMOS低电压逻辑兼容性。出于安全原因，当输入引脚处于浮动状态时，内部输入上拉和下拉电阻器将输出保持为低电平。VREF引脚上的内部电路提供欠压锁定功能，该功能将输出保持在低电平，直到VREF电源电压在工作范围内。UCC27611DRVR以2.00 mm×2.00 mm SON-6封装（DRV）的形式提供，具有暴露的热和接地垫，可提高封装的功率处理能力。UCC27611DRVR在-40°C至140°C的宽温度范围内工作。
特色
- 增强型氮化镓FET（eGANFET）
- 4-V至18-V单电源范围VDD范围
- 驱动电压VREF调节至5 V
- 4-A峰值源和6-A峰值吸收驱动电流
- 1-和0.35-上拉和下拉电阻（最大化高回转率dV和dt抗扰度）
- 分离输出配置（允许单个FET的导通和关断优化）
- 快速传播延迟（典型14 ns）
- 快速上升和下降时间（典型为9纳秒和5纳秒）
- TTL和CMOS兼容输入（独立于电源电压，可方便地连接数字和模拟控制器）
- 双输入设计提供驱动灵活性（反相和非反相配置）
- 输入浮动时输出保持低
- VDD欠压锁定（UVLO）
- 优化引脚与eGANFET封装兼容，便于布局
- 2.00 mm×2.00 mm SON-6封装，带有暴露的热焊盘和接地焊盘（最小化寄生电感以减少栅极振铃）
- 工作温度范围-40°C至140°C
