IX2120B

IXYS Corporation（NASDAQ:IXYS）的全资子公司IXYS Integrated Circuits Division（ICD），Inc.宣布立即推出IX2120B 1200V半桥门驱动器IC。IX2120B是一种高压IC，可以驱动工作电压高达1200V的分立功率MOSFET和IGBT。高侧和低侧输出都具有集成功率DMOS晶体管，其能够产生和吸收2A的栅极驱动电流。高电压电平移位电路允许低电压逻辑信号驱动高达1200V的高压侧配置中的IGBT。IX2120B的1400V绝对最大额定值为高压应用提供了额外的裕度。�该产品补充了全系列电源驱动器IC�这是我们在过去三年中开发并引入电源管理市场的产品。它是在我们的内部晶圆制造设施中根据经验证的先进SOI工艺设计和生产的�, IXYS Corporation首席执行官兼首席技术官Nathan Zommer博士评论道。使用IXYS功率MOSFET和IGBT�公司的产品ICD驱动程序为IXYS客户提供一站式的全系统解决方案，包括Zilog系列MCU�s.IX2120B采用IXYS ICD先进的HVIC绝缘体上硅（SOI）工艺制造，使IX2120B极其坚固，几乎不受负瞬态和高dV/dt噪声的影响。输入为3.3V和5V逻辑兼容。用于高侧和低侧输出的内部欠压锁定电路防止IX2120B打开分立功率IGBT，直到有足够的栅极电压。输出传播延迟匹配用于高频应用。IX2120B可以驱动半桥、全桥和三相配置的功率分立MOSFET和IGBT。典型应用包括电机驱动器、高压逆变器、不间断电源（UPS）和DC/DC转换器。IX2120B补充了IXYS ICD广泛的高压栅极驱动器、低压侧栅极驱动器、光隔离栅极驱动器以及全系列IXYS功率半导体产品。

IXYS集成电路部的新产品！