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ISL6596CBZ-T

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 输入类别 非反相
  • 逻辑电压-VIL、VIH -
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 同步的
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 部件状态 过时的
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 上升/下降时长(典型值) 8ns, 8ns
  • 工作温度 0摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 高侧最大电压 (自举) 36伏
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) -,4A

ISL6596CBZ-T 产品详情

ISL6596CBZ-T是一款高频MOSFET驱动器,经过优化,可在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。该驱动器与Intersil的多相降压PWM控制器相结合,形成了一个完整的单级核心电压调节器解决方案,在高级微处理器的高开关频率下具有高效性能。该IC由单个低压电源(5V)偏置,在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中最小化驱动器开关损耗。每个驱动器能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器的自举通过内部低正向压降二极管实现,降低了实现成本和复杂性,并允许使用更高性能、成本有效的N沟道MOSFET。集成了自适应穿透保护,以防止两个MOSFET同时导通。ISL6596CBZ-T为下栅极驱动器提供4A典型的吸收电流,在PHASE节点上升沿期间增强了下MOSFET栅极抑制能力,防止了由于开关节点的高dV/dt而导致的下MOSFET自导通造成的功率损失。ISL6596CBZ-T还具有识别高阻抗状态的输入,与Intersil多相3.3V或5V PWM控制器一起工作,以防止操作暂停时受控输出电压上的负瞬态。该特征消除了对肖特基二极管的需要,该肖特基二极管可用于电力系统以保护负载免受负输出电压损坏。

特色

  • 驱动两个N沟道MOSFET
  • 自适应穿透保护
  • 0.4Ω 电阻和4A吸收电流能力
  • 支持高开关频率
  • 快速输出上升和下降时间
  • 低三态保持时间(20ns)
  • 支持3.3V和5V PWM输入
  • 低静态电源电流
  • 通电复位
  • 用于散热的可膨胀底部铜垫
  • 双平面无引线(DFN)封装
  • 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN四平无引线产品概述
  • 近芯片级封装封装;提高PCB效率,外形更薄
  • 无铅(符合RoHS)


ISL6596CBZ-T所属分类:栅极驱动器,ISL6596CBZ-T 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ISL6596CBZ-T价格参考¥21.337583,你可以下载 ISL6596CBZ-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ISL6596CBZ-T规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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