ISL6596CBZ-T是一款高频MOSFET驱动器,经过优化,可在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。该驱动器与Intersil的多相降压PWM控制器相结合,形成了一个完整的单级核心电压调节器解决方案,在高级微处理器的高开关频率下具有高效性能。该IC由单个低压电源(5V)偏置,在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中最小化驱动器开关损耗。每个驱动器能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器的自举通过内部低正向压降二极管实现,降低了实现成本和复杂性,并允许使用更高性能、成本有效的N沟道MOSFET。集成了自适应穿透保护,以防止两个MOSFET同时导通。ISL6596CBZ-T为下栅极驱动器提供4A典型的吸收电流,在PHASE节点上升沿期间增强了下MOSFET栅极抑制能力,防止了由于开关节点的高dV/dt而导致的下MOSFET自导通造成的功率损失。ISL6596CBZ-T还具有识别高阻抗状态的输入,与Intersil多相3.3V或5V PWM控制器一起工作,以防止操作暂停时受控输出电压上的负瞬态。该特征消除了对肖特基二极管的需要,该肖特基二极管可用于电力系统以保护负载免受负输出电压损坏。
特色
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应穿透保护
- 0.4Ω 电阻和4A吸收电流能力
- 支持高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 低三态保持时间(20ns)
- 支持3.3V和5V PWM输入
- 低静态电源电流
- 通电复位
- 用于散热的可膨胀底部铜垫
- 双平面无引线(DFN)封装
- 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN四平无引线产品概述
- 近芯片级封装封装;提高PCB效率,外形更薄
- 无铅(符合RoHS)