特色
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应穿透保护
- 0.4Ω 电阻和4A吸收电流能力
- 支持高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 超低传播延迟8ns
- 功率级停机的三态PWM输入
- 内部自举肖特基二极管
- 低偏置电源电流（5V，30µA）
- 启用输入
- QFN包
- 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN Quad Flat No Leads产品概述。
- 近芯片级封装封装；提高PCB效率和外形更薄。
- 无铅可用（符合RoHS）
ISL6605CBZ-T
- 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥19.97592
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.98
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规格参数
- 驱动器数量 two
- 逻辑电压-VIL、VIH 1V, 2V
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 输入类别 非反相
- 驱动器配置 半桥
- 通道类型 同步的
- 闸门类型 N通道MOSFET
- 部件状态 过时的
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） 2A，2A
- 电源电压 4.5伏~5.5伏
- 上升/下降时长（典型值） 8ns, 8ns
- 工作温度 0摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 高侧最大电压 (自举) 33伏
ISL6605CBZ-T 产品详情
ISL6605CBZ-T是一款高频MOSFET驱动器，经过优化，可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。该驱动器与Intersil HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器相结合，形成了一个完整的单级核心电压调节器解决方案，在高级微处理器的高开关频率下具有高效性能。该IC由单个低电压电源（5V）偏置，对于高MOSFET栅极电容和高开关频率应用。每个驱动器能够以8ns的传播延迟和小于10ns的转换时间驱动3000pF负载。该产品使用内部自举肖特基二极管在上栅极上实现自举，从而降低了实现成本和复杂性，并允许使用更高性能、经济高效的N沟道MOSFET。集成了自适应穿透保护，以防止两个MOSFET同时导通。ISL6605CBZ-T的下栅极驱动器具有4A典型的吸收电流，能够在相节点上升沿期间保持下MOSFET栅极，以防止由相节点的高dv/dt引起的穿透功率损失。ISL6605CBZ-T还具有三态PWM输入，与Intersil多相PWM控制器一起工作，可防止输出关闭时输出电压出现负瞬态。此功能消除了通常在微处理器电源系统中用于保护微处理器免受反向输出电压损坏的肖特基二极管。
ISL6605CBZ-T 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ISL29120IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥122.53535 |
 | ISL29124IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-VFDFN 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥20.39467 |
 | ISL29125IROZ-T7A | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥458.58865 |
 | ISL29125IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥44.0087 |
 | ISL29035IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WFDFN | ¥8.7965 |
 | ISL29101IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥21.00441 |
 | ISL76671AROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8V~3V 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥9.51105 |
 | ISL29033IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥20.54597 |
 | ISL29020IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 540nm 电源电压: 2.25伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥28.10245 |
 | ISL29030AIROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 8-VFDFN Exposed Pad | ¥36.76205 |
ISL6605CBZ-T所属分类：栅极驱动器，ISL6605CBZ-T 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ISL6605CBZ-T价格参考￥19.975918，你可以下载 ISL6605CBZ-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ISL6605CBZ-T规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
