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STL9N60M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供48 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.5 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为860mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为8.8ns，Qg栅极电荷为10nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的STL9P2UH7，包括第400 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如12.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为128 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列是P沟道STripFET，该器件的上升时间为30.5ns，该器件具有85mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为22nC，Pd功耗为2.9W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9 A，下降时间为84.5 ns。
带有电路图的STL9N65M2，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。SMD/SMT中使用的安装方式如数据表注释所示，提供PowerFlat-8等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及硅技术，该器件也可用作N沟道晶体管极性。此外，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，器件提供25 V Vgs栅极-源极电压。
