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DG2018DN-T1-E4是IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN，包括卷筒包装，它们设计为以0.002014 oz单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供4 x SPDT等配置功能，Pd功耗设计为850 mW，其最大工作温度范围为+85 C，它的最小工作温度范围为-40℃。此外，工作电源电压为1.8 V至5.5 V，该设备的最大供电电流为1 uA，该设备具有部件号别名的DG2018DN-E4，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为1.8 V，封装外壳为QFN-16，电源类型为单电源，导通电阻最大值为8欧姆，并且关断时间最大值为33ns，开关数量为4开关，接通时间最大值是48ns，开关电压最大值为5V，开关持续电流为50mA。
DG2016DQ-T1是由SILICONIX制造的IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP。DG2016DQ-T1提供10-TFSOP、10-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装，是接口-模拟开关、多路复用器、解复用器的一部分，并支持IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP、模拟开关DUAL SPDT 10 Pin MSOP T/R。
DG2018DN-T1是VISHAY制造的IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN。DG2018DN-T1采用16-VFQFN暴露焊盘封装，是接口-模拟开关、多路复用器、解复用器的一部分，支持IC开关双SPDT 16QFN、模拟开关双DPDT 16引脚QFN T/R。
