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NCV70627DQ001R2G,带有引脚细节,包括NCV70627系列,它们设计用于带卷(TR)替代包装包装,数据表注释中显示了用于36-BFSOP(0.295“,7.50mm宽)暴露焊盘的包装箱,该焊盘具有功率MOSFET等技术特性,其工作温度范围为-40°C~160°C(TJ),以及表面安装安装类型,该设备还可以用作驱动器-完全集成、控制和功率级功能。此外,应用是汽车,该设备以串行接口提供,该设备具有5.5V~29V的电压供应,供应商设备包为36-SSOP-EP,输出配置为半桥(4),电压负载为5.5V~26V,电机型步进器为双极,阶跃分辨率为1/2、1/4、1/8、1/16。
带有用户指南的NCV70624DW010R2G,包括6.5 V~29 V电源,它们设计用于6.5 V~229 V电压负载,数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术,该功率MOSFET提供供应商器件封装功能,如20-SOIC,阶跃分辨率设计用于1/2、1/4、1/8、1/16以及NCV70624系列,该设备也可以用作胶带和卷筒(TR)替代包装包装。此外,封装外壳为20-SOIC(0.295“,7.50mm宽),该器件采用半桥(4)输出配置,工作温度范围为-40°C~165°C(TJ),安装类型为表面安装,电机型步进器为双极型,接口为I2C,功能为驱动器-全集成、控制和功率级,应用为通用型。
NCV70627DQ001G带有电路图,包括汽车应用,它们设计为与驱动器一起工作-完全集成、控制和功率级功能,接口如数据表注释所示,用于串行,提供电机型步进器功能,如双极,安装型设计用于表面安装,它的工作温度范围为-40°C~160°C(TJ),该设备也可以用作半桥(4)输出配置。此外,包装箱为36-BFSOP(0.295“,7.50mm宽)裸露衬垫,该设备采用管交替包装包装,该设备具有NCV70627系列,阶跃分辨率为1/2、1/4、1/8、1/16,供应商设备包装为36-SSOP,技术为功率MOSFET,电压负载为5.5 V ~29 V,电压供应为5.5 V~29 V。
NCV70627MW002R2G,带EDA/CAD型号,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于表面安装安装型,接口如数据表注释所示,用于串行,提供功率MOSFET等技术功能,输出配置设计用于半桥(4),以及驱动器-完全集成、控制和功率级功能,该装置也可以用作双极电机型步进器。此外,应用是汽车,该设备提供5.5 V~29 V电压供应,该设备具有5.5 V~229 V的电压负载,其工作温度范围为-40°C~160°C(TJ),包装箱为32-VFQFN外露垫,供应商设备包装为32-QFN(5x5),阶跃分辨率为1/2、1/4、1/8、1/16。