POWERSTEP01TR是一个封装系统,集成了8个N通道16 mΩMOSFET,用于85 V以下的步进应用,并带有SPI可编程控制器,通过速度曲线生成和定位计算提供运动的全数字控制。
它集成了双低RDS(打开)具有嵌入式非耗散过电流保护的全桥。该设备可以在电压模式驱动和先进的电流控制下运行,以满足不同的应用需求。数字控制核心可以生成用户定义的运动轮廓,包括加速、减速、速度或目标位置,通过专用寄存器组轻松编程。所有应用命令和数据寄存器,包括用于设置模拟值(即电流保护跳闸点、死区时间、PWM频率等)的命令和数据都通过标准的5 Mbit/s SPI发送。一套非常丰富的保护(热、低母线电压、过电流和电机失速)使POWERSTEP01TR成为最苛刻的电机控制应用所需的“防弹”产品。
特色
- 集成可编程微步进控制器和8个N沟道功率MOSFET的成套电源系统
- 工作电压:7.5 V-85 V
- 带R的双全桥DS(打开)=16 mΩ
- 10年均方根值最大输出电流
- 可调输出转换速率
- 可编程速度曲线
- 多达1/128微步进