DRV425-BUSBAR-EVM专为单轴磁场传感应用而设计，可实现电气隔离、高灵敏度和精确的直流和交流磁场测量。该设备提供了独特和专有的集成磁通门传感器（IFG），带有内部补偿线圈，以支持±2 mT的高精度传感范围，测量带宽高达47 kHz。传感器的低偏移、偏移漂移和噪声，加上内部补偿线圈提供的精确增益、低增益漂移和非常低的非线性，导致无与伦比的磁场测量精度。DRV425-BUSBAR-EVM的输出是与感测磁场成比例的模拟信号。
DRV425-BUSBAR-EVM提供了一整套功能，包括内部差分放大器、片上精度基准和诊断功能，以最大限度地减少部件数量和系统级成本。
DRV425-BUSBAR-EVM采用热增强、非磁性、薄WQFN封装，带有PowerPAD，可优化散热，并指定在-40°C至+125°C的扩展工业温度范围内运行。
特色
- 高精度集成Fluxgate传感器：
- 偏移：±8μT（最大值）
- 偏移漂移：±5 nT/°C（典型值）
- 增益误差：0.04%（典型值）
- 增益漂移：±7 ppm/°C（典型值）
- 线性：±0.1%
- 噪声：1.5 nT/√Hz（典型值）
- 传感器范围：±2 mT（最大值）
- 可通过外部电阻器调节范围和增益
- 可选带宽：47 kHz或32 kHz
- 精度参考：
- 精度：2%（最大），漂移：50 ppm/°C（最大）
- 引脚可选电压：2.5 V或1.65 V
- 可选比率模式：VDD/2
- 诊断功能：超限和错误标志
- 电源电压范围：3.0 V至5.5 V
