LTC4355CDE是一个正电压理想二极管或控制器，可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET代替肖特基二极管形成二极管“或”可以减少功耗、散热和PC板面积。
使用LTC4355，电源可以很容易地进行“或”运算，以提高系统的总体可靠性。LTC4355CDE可以对两个正极电源或两个负极电源的返回路径进行二极管或，例如在-48V系统中。
在正向上，LTC4355CDE控制MOSFET两端的电压降，以确保从一条路径到另一条路径的平滑电流传输而无振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大限度地减少反向电流瞬变。
电源故障检测表明输入电源是否不在调节范围内，内联保险丝是否熔断，或者MOSFET两端的电压是否大于故障阈值。
特色
- 取代功率肖特基二极管
- 控制N沟道MOSFET
- 0.3μs关断时间限制峰值故障电流
- 宽工作电压范围：9V至80V
- 无振荡平稳切换
- 无反向直流电流
- 监控VIN、保险丝和MOSFET二极管
- 可提供14引线（4mm×3mm）DFN、16引线MS和SO封装
应用
- 高可用性系统
- AdvancedTCA®（ATCA）系统
- +48V和-48V分布式电力系统
- 电信基础设施
（图片：引出线）
