LTC4359IDCB/CDCB/HDCB是一种正高压理想二极管控制器，它驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。它控制MOSFET两端的正向电压降，以确保即使在轻负载下也不会出现振荡的平稳电流输送。如果电源发生故障或短路，快速关闭可最大限度地减少反向电流瞬变。关闭模式可用于将负载开关的静态电流降至9μA，理想二极管应用的静态电流为14μA。
当用于大电流二极管应用时，LTC4359IDCB/CDCB/HDCB可降低功耗、散热、电压损失和PC板面积。LTC4359IDCB/CDCB/HDCB具有广泛的工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。LTC4359IDCB/CDCB/HDCB还可以在具有冗余电源的系统中轻松OR电源。
特色
- 通过更换功率肖特基二极管降低功耗
- 宽工作电压范围：4V至80V
- 反向输入保护至–40V
- 低9µA关闭电流
- 低150μA工作电流
- 无振荡平稳切换
- 控制单个或背靠背N沟道MOSFET
- 提供6引脚（2mm×3mm）DFN、8引脚MSOP和8引脚SO封装
- AEC-Q100汽车应用认证
应用
- 汽车电池保护
- 冗余电源
- 供应滞留
- 电信基础设施
- 计算机系统/服务器
- 太阳能系统
