集成的理想二极管控制器在正向电压损失必须最小化的应用中(如低压直流电源的二极管或),提供了优于分立二极管的显著优势。来自Linear Technology的这些器件中的一些包括片上MOSFET,其以显著降低的损耗取代传统二极管。
比传统分立二极管损耗更低
多个二极管之间的受控切换和切换
MOSFET导通状态输出
提供单版本和双版本
可调电流限制–每个二极管高达4A
低反向泄漏电流-最大值1μA
精度启用阈值以设置切换
负载电流监测
特色
- 功率二极管的低损耗替换
- 控制N沟道MOSFET
- 0V至18V电源ORing或Holdup
- 1μs栅极开启和关闭时间
- 启用输入
- MOSFET导通状态输出
- 16引线MSOP和DFN(4mm×3mm)封装
应用
- 冗余电源
- 供应滞留
- 高可用性系统和服务器
- 电信和网络基础设施
(图片:引出线)