LM66100DCKT是一种单输入单输出（SISO）集成理想二极管，非常适合各种应用。该器件包含一个P沟道MOSFET，可以在1.5V至5.5V的输入电压范围内工作，并且可以支持1.5A的最大连续电流。
芯片使能通过将CE引脚电压与输入电压进行比较来工作。当CE引脚电压高于VIN时，设备将被禁用，MOSFET将关闭。当CE引脚的电压较低时，MOSFET会打开。LM66100DCKT还配有反极性保护（RPP），可保护设备免受接线不当的输入，如反向电池。
两个LM66100DCKT器件可用于类似于双二极管ORing实现的ORing配置。在这种配置中，器件将最高输入电压传递到输出端，同时阻止反向电流流入输入电源。这些设备可以比较输入和输出电压，以确保通过内部电压比较器阻断反向电流。
LM66100DCKT采用标准SC-70封装，其特点是在-40°C至125°C的功能温度范围内工作。
特色
- 宽工作电压范围：1.5 V–5.5 V
- VIN上的反向电压间隔：
–6-V绝对最大值 - 最大持续电流（IMAX）：1.5 A
- 导通电阻（RON）：
- 5V VIN=79-mΩ（典型值）
- 3.6-V VIN=91-mΩ（典型值）
- 1.8-V VIN=141-mΩ（典型值）
- 比较器芯片启用（CE）
- 信道状态指示（ST）
- 低电流消耗：
- 3.6-V VIN关闭电流（ISD，VIN）：120 nA（典型值）
- 3.6V VIN静态电流（IQ，VIN）：150 nA（典型值）
