LM74610QDGKRQ1是一种控制器设备，可与反向极性保护电路中的N沟道MOSFET一起使用。当与电源串联时，它被设计为驱动外部MOSFET以模拟理想的二极管整流器。该方案的一个独特优点是它不参考地，因此具有零Iq。
LM74610QDGKRQ1控制器为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动，并提供快速响应的内部比较器，以在极性相反的情况下对MOSFET栅极进行放电。如果感测到相反极性，此快速下拉功能限制反向电流的量和持续时间。该器件设计还符合CISPR25 5级EMI规范和汽车ISO7637瞬态要求，并配有合适的TVS二极管。
特色
- 具备汽车应用资格
- AEC-Q100合格，结果如下：
- 超过HBM ESD等级2
- 设备CDM ESD分类等级C4B
- 最大反向电压45 V
- 阳极端子无正电压限制
- 用于外部N沟道MOSFET的电荷泵栅极驱动器
- 比肖特基二极管/PFET解决方案功耗更低
- 低反向泄漏电流
- 零智商
- 对反极性的快速2μs响应
- –40°C至+125°C工作环境温度
- 可用于OR ing应用
- 符合CISPR25 EMI规范
- 使用合适的TVS二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
- 无峰值电流限制
LM74610-Q1是一种控制器设备，可与反向极性保护电路中的N沟道MOSFET一起使用。当与电源串联时，它被设计为驱动外部MOSFET以模拟理想的二极管整流器。该方案的一个独特优点是它不参考地，因此具有零Iq。
LM74610-Q1控制器为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动，并提供快速响应的内部比较器，以在极性相反的情况下对MOSFET栅极进行放电。如果感测到相反极性，此快速下拉功能限制反向电流的量和持续时间。该器件设计还符合CISPR25 5级EMI规范和汽车ISO7637瞬态要求，并配有合适的TVS二极管。
