所有商标均为其各自所有者的财产。
描述当与电源串联时，LM5050-1/-Q1高侧OR型FET控制器与外部MOSFET一起工作，作为理想的二极管整流器。该ORing控制器允许MOSFET代替配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和电压降。
LM5050-1/-Q1控制器为外部N沟道MOSFET和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关闭FET。LM5050-1/-Q1可连接5 V至75 V的电源，并可承受高达100 V的电压。
特色
- 提供标准和AEC-Q100合格版本LM5050Q0MK-1（最高150°CTJ）和LM5050Q1MK-1（最高125°CTJ
- 功能安全性
- 有助于功能安全系统设计的文件
- 宽工作输入电压范围，VIN：1 V至75 V（VIN<5 V时需要VBIAS）
- 100-V瞬态能力
- 用于外部N沟道MOSFET的电荷泵栅极驱动器
- 对电流反转的快速50ns响应
- 2-A峰值门关断电流
- 用于快速关闭的最小VDS夹具
- 包装：SOT-6（薄SOT-23-6）
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描述当与电源串联时，LM5050-1/-Q1高侧OR型FET控制器与外部MOSFET一起工作，作为理想的二极管整流器。该ORing控制器允许MOSFET代替配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和电压降。
LM5050-1/-Q1控制器为外部N沟道MOSFET和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关闭FET。LM5050-1/-Q1可连接5 V至75 V的电源，并可承受高达100 V的电压。
