集成的理想二极管控制器在正向电压损失必须最小化的应用中(如低压直流电源的二极管或),提供了优于分立二极管的显著优势。来自Linear Technology的这些器件中的一些包括片上MOSFET,其以显著降低的损耗取代传统二极管。
比传统分立二极管损耗更低
多个二极管之间的受控切换和切换
MOSFET导通状态输出
提供单版本和双版本
可调电流限制–每个二极管高达4A
低反向泄漏电流-最大值1μA
精度启用阈值以设置切换
负载电流监测
特色
- 减少热量,消除热设计问题
- 最大化电源效率
- 小于800μA静态工作电流
- 完全兼容IEEE 802.3检测和分类
- 与受电设备(PD)控制器配对时符合IEEE 802.3
- 适用于2对和4对PoE应用
- 与PoE、PoE+和LTPoE兼容++™
- 100V绝对最大电压
- H级版本工作温度高达125°C
- 16引线4mm×4mm QFN封装
应用
- PoE/PoE+/LTPoE++供电设备
- 通信电源的直流极性校正和理想二极管的“或”