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ISL6146DFRZ-TK

  • 描述:种类: N+1 ORing控制器 场效应管类型: n通道 电源电压: 3V~20V 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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数量 单价 合计
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 种类 N+1 ORing控制器
  • 场效应管类型 n通道
  • 内部开关
  • 安装类别 表面安装
  • 开启时延时时间 -
  • 最大输出电流 -
  • 供应商设备包装 8-DFN (3x3)
  • 输入比率 / 输出比率 N: 1
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 关闭时延时时间 65 ns
  • 工作电流 25A.
  • 电源电压 3V~20V
  • 应用及使用 N+1电源,电信/数据通信系统
  • 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad

ISL6146DFRZ-TK 产品详情

ISL6146DFRZ代表一系列OR ing MOSFET控制器,其电压范围为1V至18V。ISL6146DFRZ与尺寸合适的N沟道功率MOSFET一起,在大电流应用中更换功率或二极管时,提高了功率分配效率。它为具有完全集成电荷泵的MOSFET提供栅极驱动电压。ISL6146DFRZ允许用户使用外部电阻器调整VOUT-VIN跳闸点,从而调整对系统电源噪声的控制灵敏度。漏极开路故障引脚将指示是否发生了条件或FET故障。ISL6146A和ISL6146B针对极低电压操作进行了优化,低至1V,附加独立偏置为3V或更高。ISL6146C提供低至3V的电压兼容操作模式,具有可编程的欠压锁定和过压保护阈值水平。ISL6146D和ISL6146E分别与ISL6146A和ISL646B相似,但不具有通过故障输出的导通状态报告。

特色

  • 使用ISL6146A、ISL6146B、ISL646D和ISL6146E将电压降到1V和20V
  • 符合ISL6146C的可编程电压操作
  • VIN热插拔瞬态保护额定值为+24V
  • 高速比较器可快速关闭<0.3µs,以响应电源短路
  • 具有6A关断电流的最快反向电流故障隔离
  • 非常平滑的切换过渡
  • 驱动N沟道MOSFET的内部电荷泵
  • 用户可编程VIN-VOUT Vth,用于抗噪声
  • 漏极开路故障输出,带延迟-任何两个OR ing FET端子之间短路
  • 栅极电压和过大的FET VDS
  • 电源良好指示灯(ISL6146C)
  • MSOP和DFN软件包选项


ISL6146DFRZ-TK所属分类:O环形控制器/理想二极管,ISL6146DFRZ-TK 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ISL6146DFRZ-TK价格参考¥13.789033,你可以下载 ISL6146DFRZ-TK中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ISL6146DFRZ-TK规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash;安全可靠。作为微控制器...

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