ISL6146DFRZ代表一系列OR ing MOSFET控制器,其电压范围为1V至18V。ISL6146DFRZ与尺寸合适的N沟道功率MOSFET一起,在大电流应用中更换功率或二极管时,提高了功率分配效率。它为具有完全集成电荷泵的MOSFET提供栅极驱动电压。ISL6146DFRZ允许用户使用外部电阻器调整VOUT-VIN跳闸点,从而调整对系统电源噪声的控制灵敏度。漏极开路故障引脚将指示是否发生了条件或FET故障。ISL6146A和ISL6146B针对极低电压操作进行了优化,低至1V,附加独立偏置为3V或更高。ISL6146C提供低至3V的电压兼容操作模式,具有可编程的欠压锁定和过压保护阈值水平。ISL6146D和ISL6146E分别与ISL6146A和ISL646B相似,但不具有通过故障输出的导通状态报告。
特色
- 使用ISL6146A、ISL6146B、ISL646D和ISL6146E将电压降到1V和20V
- 符合ISL6146C的可编程电压操作
- VIN热插拔瞬态保护额定值为+24V
- 高速比较器可快速关闭<0.3µs,以响应电源短路
- 具有6A关断电流的最快反向电流故障隔离
- 非常平滑的切换过渡
- 驱动N沟道MOSFET的内部电荷泵
- 用户可编程VIN-VOUT Vth,用于抗噪声
- 漏极开路故障输出,带延迟-任何两个OR ing FET端子之间短路
- 栅极电压和过大的FET VDS
- 电源良好指示灯(ISL6146C)
- MSOP和DFN软件包选项