所有商标均为其各自所有者的财产。
描述LM74670QDGKRQ1是一种控制器设备，可用于交流发电机全桥或半桥整流器架构中的N沟道MOSFET。它被设计为驱动外部MOSFET以模拟理想的二极管。该方案的一个独特优点是它没有接地参考，因此具有零IQ。全桥或半桥整流器和交流发电机中的肖特基二极管可以用LM74670QDGKRQ1解决方案代替，以避免正向导通二极管，并产生更高效的AC-DC转换器。
LM74670QDGKRQ1控制器为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动，并提供快速响应内部比较器，以在极性反转时下拉MOSFET栅极。该设备可支持高达300Hz的交流信号频率。
特色
- AEC-Q100合格，结果如下：
- 1级设备温度：-40°C至+125°C环境工作温度范围
- 超过HBM ESD等级2
- 设备CDM ESD分类等级C4B
- 峰值输入交流电压：42V
- 零智商
- 用于外部N沟道MOSFET的电荷泵栅极驱动器
- 与肖特基二极管相比，低正向压降和低功耗
- 能够处理频率高达300 Hz的交流信号
所有商标均为其各自所有者的财产。
描述LM74670-Q1是一种控制器设备，可用于交流发电机的全桥或半桥整流器架构中的N沟道MOSFET。它被设计为驱动外部MOSFET以模拟理想的二极管。该方案的一个独特优点是它没有接地参考，因此具有零IQ。全桥或半桥整流器和交流发电机中的肖特基二极管可以用LM74670-Q1解决方案代替，以避免正向导通二极管，并产生更高效的AC-DC转换器。
LM74670-Q1控制器为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动，并提供快速响应内部比较器，以在极性相反的情况下下拉MOSFET栅极。该设备可支持高达300Hz的交流信号频率。
