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US5U3TR是MOSFET 2.5V驱动N-Chan+Sch势垒二极管，包括US5U3系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单通道肖特基二极管配置，该装置也可以用作TUMT-5包装盒。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极-源极电阻为240mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
US60EVK，带有MELEXIS制造的用户指南。US60EVK采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
US62EVK，电路图由MELEXIS制造。US62EVK采用TO-92封装，是PMIC-电机驱动器、控制器的一部分。
