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BSD840NH6327XTSA1是MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363，包括OptiMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于BSD840N BSD840NH6327XT H6327 SP000917654的零件别名，该设备提供单位重量功能，例如0.000265盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-VSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件有2个通道数，供应商设备包为PG-SOT363-6，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为500mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为78pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为880mA，最大Id Vgs上的Rds为400mOhm@880mA，2.5V，Vgs最大Id为750mV@1.6μA，栅极电荷Qg Vgs为0.26nC@2.5V，Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为900 ps，上升时间为2.2 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为880 mA 880 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V 20 V，Vgs栅源极阈值电压为550 mV，Rds漏极源极电阻为270 mOhms 270 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.8ns，典型接通延迟时间为1.9ns，Qg栅极电荷为260pC，正向跨导Min为2.5S，沟道模式为增强。
BSD840NH6327XT是MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000265 oz，提供典型的关断延迟时间特性，如7.8 nS，晶体管类型设计为在2 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为BSD840，器件的上升时间为2.2 ns，器件具有400 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为0.26 nC，Pd功耗为500 mW，零件别名为BSD840NH6327XTSA1 SP000917654，封装为卷轴式，封装盒为SOT-363-6，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为880 mA，下降时间为0.9 nS，配置为双重。
BSE-04-01-L-D-A是CONN插座40POS.031“SMT GLD，包括插座、中心条形触点连接器类型，它们设计为使用金色触点表面，触点表面厚度如数据表注释所示，适用于100μin（2.54μm），具有板导向、板上高度设计为0.128”（3.25mm），8mm匹配堆叠高度，该设备也可用作表面安装安装型。此外，位置数为40，设备提供2行，设备具有包装托盘，节距为0.031英寸（0.80mm），系列为BSE。
BSE-0是NEUTRIK制造的模块连接器/以太网连接器黑色电缆衬套。是IC芯片的一部分，支持模块化连接器/以太网连接器黑色电缆衬套。
