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P3P816711A-06OR是IC EMI REDUCTION SS 30MHZ 6TSOP，包括P3P816711 a系列，它们设计用于时钟发生器类型，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C。此外，安装类型为表面安装，该设备提供2.97 V~3.63 V电压供应，该设备具有供应商设备包的6-TSOP，PLL为是，输入为LVCMOS、晶体，输出为LVCMOS，电路数量为1，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，差分输入：输出是否/否，最大频率为30MHz，除法器乘法器为“否”/“是”，其最大工作温度范围为+70℃，最小工作温度范围0℃，工作电源电压为3.3V，工作电源电流为10mA，最大输入频率为30MHz，最大输出频率为30Hz，抖动为200ps。
P3P8163AG-08SR是IC CLK GEN EMI REDUCTION 8SOIC，包括3.135 V~3.465 V电压供应，它们设计为与8-SOIC供应商设备包一起工作，数据表说明中显示了用于1899/12/30 1:03:00的比率输入：输出，该设备提供了PLL功能，如“是”，带旁路，包装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作LVCMOS输出，其工作温度范围为0°C~70°C，该器件有1个电路，该器件具有安装型表面安装，输入为LVCMOS、晶体，最大频率为12MHz，分频器乘法器为否/是，差分输入：输出为否/否。
P3P8203AMTTBG是IC CLK GEN EMI MODULATOR 8-WDFN，包括无/无差分输入：输出，它们设计为与无/是分频器乘法器一起工作，最大频率如数据表注释所示，用于36MHz，提供LVCMOS、晶体、安装类型等输入功能，设计用于表面安装，以及1个电路，其工作温度范围为0°C~70°C。此外，输出为LVCMOS，该器件采用8-WFDFN封装盒，该器件具有封装的磁带和卷轴（TR），PLL为“是”，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，系列为P3P8203A，供应商器件封装为8-WDFN（2x2），电压供应为3V~3.6V。
P3P8211AG-08CR是IC CLK GEN EMI MODULATOR 8-WDFN，包括多个电路，它们设计为以输入/输出比率工作。
