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MC33HB2001EKR2，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于32-SSOP（0.295“，7.50mm宽）暴露焊盘封装外壳，数据表中显示了用于功率MOSFET的技术，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及回转率控制功能，该设备也可以用作直流电机、通用应用。此外，接口为SPI，该设备提供5 V~28 V电压供应，该设备具有供应商设备包的32-SOIC暴露焊盘，故障保护为过温、过电压、UVLO，输出配置为半桥（2），负载类型为电感式，Rds On Typ为125 mOhm LS（最大）、125 mOhms HS（最大），电压负载为5 V~28V。
MC33HB2001EK是IC半桥驱动器SPI 32SOIC，包括5 V~28 V电压源，它们设计用于在5 V~28V电压负载下工作。数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术，该功率MOSFET提供了供应商器件封装功能，如32-SOIC暴露焊盘、Rds on Typ设计用于125 mOhm LS（最大）、125 mOhms HS（最大），以及管替代包装包装，该装置也可作为32-SSOP（0.295“，7.50mm宽）外露衬垫包装箱使用。此外，输出配置为半桥（2），其工作温度范围为-40°C～150°C（TJ），该设备具有安装类型的表面安装，负载类型为感应式，接口为SPI，功能为回转率控制，故障保护为过温、过电压、UVLO，应用为通用直流电机。
MC33HB2001FKR2，带电路图，包括直流电机、通用应用，它们设计为在超温、超电压、UVLO故障保护下运行。数据表注释中显示了用于回转率控制的功能，提供SPI等接口功能，负载类型设计为在感应式以及表面安装安装型中工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，输出配置为半桥（2），该设备采用32 PowerQFN封装盒，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替封装，Rds On Typ为125 mOhm LS（最大）、125 mOhms HS（最大），供应商设备封装为32-PQFN（8x8），技术为功率MOSFET，电压负载为5 V~28 V，电压供应为5 V~38 V。
MC33HB2001FK，带EDA/CAD型号，包括托盘替代包装包装，它们设计用于表面安装安装型，接口如数据表注释所示，用于SPI，具有回转率控制等功能，技术设计用于功率MOSFET，以及过温、过电压、UVLO故障保护，该设备也可以用作感应负载类型。此外，输出配置为半桥（2），该设备在直流电机、通用应用中提供，该设备具有5 V~28 V的电压供应，电压负载为5 V~28V，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），供应商设备包为32-PQFN（8x8），包壳为32 PowerQFN，Rds On Typ为125 mOhm LS（最大值），125 mOhm HS（最大值）。
