LTC4357CDCB是一种正高压理想二极管控制器,它驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。当用于二极管OR和大电流二极管应用时,LTC4357CDCB可降低功耗、散热、电压损失和PC板面积。
LTC4357CDCB可轻松对电源进行OR运算,以提高系统的总体可靠性。在二极管OR应用中,LTC4357CDCB控制MOSFET两端的正向电压降,以确保电流从一条路径平稳地传输到另一条路径,而无振荡。如果电源发生故障或短路,快速关闭可最大限度地减少反向电流瞬变。
特色
- 用N沟道MOSFET代替功率肖特基二极管,降低功耗
- 0.5μs关断时间限制峰值故障电流
- 宽工作电压范围:9V至80V
- 无振荡平稳切换
- 无反向直流电流
- 提供6引线(2mm×3mm)DFN和8引线MSOP封装
应用
- N+1个冗余电源
- 高可用性系统
- 高级TCA系统
- 电信基础设施
- 汽车系统
(图片:引出线)