说明：
TPS22963/64是一个小型超低Rou负载开关，具有受控导通。该器件包含一个低RpsoN N沟道MOSFET，可在1 V至5.5 V的输入电压范围内工作，开关电流高达3 a。集成电荷泵偏置MOS开关，以实现低开关导通电阻。开关由开/关输入（on）控制，该输入能够直接与低压GPlO控制信号连接。TPS22963/64装置的上升时间由内部控制，以避免涌入电流。TPS22963/64提供反向电流保护。当电源开关被禁用时，设备将不允许电流流向开关的输入侧。只有当设备禁用时，反向电流保护功能才激活，以便允许某些应用的有意反向电流（当开关启用时）。TPS22963/64采用小型、节省空间的6针WCSP封装，其特点是可在-40℃至85℃的自由空气温度范围内运行。
特征：
·集成N通道负载开关
·输入电压范围：1V至5.5V
·内通FET RosoN=8 mQ（典型值）
·UlItra低导通电阻
-VN=5V时RoN=13mQ（典型值）
-VN=3.3V时RoN=14mQ（Typ）VN=1.8V时RoN=18mQ（Tyr）
·3A最大连续开关电流
·反向电流保护（禁用时）
·低关机电流（760 nA）
·低阈值1.3-V GPIO控制输入
·控制回转率以避免涌入电流
·快速输出放电（仅限TPS22964）
·六端子晶圆芯片规模封装（所示标称尺寸详见附录）
-0.9 mm×1.4 mm，0.5 mm节距，0.5 mm高度（YZP）
·根据JESD 22测试ESD性能
-2kV人体模型（A114-B，II级）
-500-V带电装置型号（C101）
应用：
·智能手机
·笔记本电脑和UItrabook TM
·Tablet PC计算机
·固态驱动器（SSD）
·DTV/IP机顶盒
·POS终端和媒体网关
（图片：引线/示意图）
