特色
- 控制MOSFET(Q1)包括用于ESD耐用性的齐纳保护(>6kV人体模型)
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 34.95442 | 34.95442 |
10+ | 31.19204 | 311.92041 |
30+ | 28.96403 | 868.92114 |
100+ | 26.70450 | 2670.45070 |
500+ | 25.66407 | 12832.03600 |
1000+ | 25.20165 | 25201.65600 |
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